第三百八十四章 MOCVD（2 / 2）

两者各有其优劣，说不上谁更好。

但呈现在顾律面前的这台MOCVD，虽然使用的仍旧是国内的行星反应室结构，但在设备的其他组成系统上，应该进行了深层次的优化。

顾律只是简单的上下打量了这台设备一眼，就得出一个这样的结论。

“张主任，你们的这台设备应该进行了一定程度的改装吧，根据我的推测，这台MOCVD不止最多可以同时生长两片1.5英寸的GaN宽禁带半导体？”顾律说出自己的猜测。

张主任竖起大拇指。

“你说的没错。”张主任拍拍设备，语气略带得意的开口，“这台设备买回来后，我就让隔壁机械学院的几位朋友改装了一下。”

“你看着，在这块源供给系统部分，我们加了一个恒温器，可以保证金属化合物一个衡定的蒸气压。”张主任指着仪器前端的加装上去的一个恒温器为顾律介绍。

“还有这。”张主任把顾律领到MOCVD的背面，“这块是气体运输系统，原本这里是只有一条管道的。”

“但是我们又增加了一条，这样的话，可以迅速变化反应室内的反应气体，并且还不会引起反应室内压力的变化！”

张主任为顾律详细的介绍了这台设备的改装情况。

除了反应室系统仍旧选择行星反应之外，其余的几个部分的系统皆进行了一定程度的改装优化。

“那……”

顾律问出了自己最关心的问题，“那现在，这台设备最大的产量是多少？”

张主任竖起三根手指，“最多可以同时生产三根两英寸的GaN宽禁带半导体！”

“嘶——！”

顾律倒吸一口冷气。

这产量……

据顾律所知，国外Veeco公司斥巨资新研发的一种型号的MOCVD，也就比这个产量稍微高点。

正在顾律啧啧惊叹的功夫，这台设备刚好结束了一轮的工作。

一旁的研究员助理就要过来取走成品。

张主任摆摆手，戴上白手套，表示要亲自将这次的成品取出。

忙活一阵后，张主任将两条长长粗粗的GaN宽禁带半导体取出。

张主任双手摩挲在这个长长粗粗的物件上。

“你们也过来摸摸，手感很不错，硬硬的，还有点烫。”张主任笑着招呼顾律师徒两人。

顾律扯了扯嘴角，然后，和张主任一块摸起来。

在旁边就摆着一台专门用于切割的仪器。

随着一阵吱吱吱的声音，长长的宽禁带半导体被切割成许多小段。

顾律拿起一块，在灯光下观察切割的截面。

“成色很不错啊！”

这样的半导体，只需要经过简单的几步除杂手段，就可以直接拿出去加工了。

反倒是一旁的张主任不是很满意的摇摇头，“还是不太行，整条半导体，最终可以利用的只有80%左右，剩下的部分还是杂质太多。”

顾律手中拿的那一截，是位于整条半导体的中间部位，成色当然不错。

但位于两端的部分，则是因为含杂太多。

在实际生产的过程中，需要进行融化分解后，再投进MOCVD中二次生产。

这其中就产生不少浪费。

不过这是相当普遍常见的现象，想要完成百分百的利用率，那基本是不存在的。

80%这个数字已经算是不错的了。